MOS管的全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管，英文简称为MOSFET，具有三个电极，分别为：栅极G、源极S和漏极D，根据其半导体结构可以分为P-MOS和N-MOS。其电气符号如下图所示。下面以NMOS为例分析其工作原理，在栅极G和源极S之间不加电压的时候，在DS之间加正电压时，D与衬底的P型半导体之间PN结反偏不通。当GS之间加正电压后，绝缘层和G极之间感应出正电荷，绝缘层和P型半导体之间感应出负电荷。这时负电荷和P型半导体中的载流子的极性相反，会将D和S的N型半导体连接起来形成一条N型的导体沟道。NMOS半导体结构如下图所示。2MOS管的驱动方式MOS管为电压驱动型的半导体器件，对于NMOS而言，如果VGS>0，则NMOS导通；对于PMOS而言，如果VGS
